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AT29BV010A-12TU

AT29BV010A-12TU

僅供參考

型號 AT29BV010A-12TU
PNEDA編號 AT29BV010A-12TU
描述 IC FLASH 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT29BV010A-12TU資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT29BV010A-12TU
類別半導體內存IC內存
數據表
AT29BV010A-12TU, AT29BV010A-12TU數據表 (總頁數: 16, 大小: 720.96 KB)
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AT29BV010A-12TU規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ms
訪問時間120ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

24LC128-I/PG

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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