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AT45DB041B-CNI

AT45DB041B-CNI

僅供參考

型號 AT45DB041B-CNI
PNEDA編號 AT45DB041B-CNI
描述 IC FLASH 4M SPI 20MHZ 8CASON
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT45DB041B-CNI資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT45DB041B-CNI
類別半導體內存IC內存
數據表
AT45DB041B-CNI, AT45DB041B-CNI數據表 (總頁數: 35, 大小: 584.44 KB)
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AT45DB041B-CNI規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁14ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN
供應商設備包裝8-CASON (6x8)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-EDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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