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ATP104-TL-HX

ATP104-TL-HX

僅供參考

型號 ATP104-TL-HX
PNEDA編號 ATP104-TL-HX
描述 MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATP104-TL-HX資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATP104-TL-HX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ATP104-TL-HX, ATP104-TL-HX數據表 (總頁數: 7, 大小: 338.35 KB)
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ATP104-TL-HX規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs76nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3950pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ATPAK
包裝/箱ATPAK (2 leads+tab)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2090pF @ 30V

FET功能

-

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 490µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 400V

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