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ATP302-TL-H

ATP302-TL-H

僅供參考

型號 ATP302-TL-H
PNEDA編號 ATP302-TL-H
描述 MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,241
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATP302-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATP302-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ATP302-TL-H, ATP302-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 355.43 KB)
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ATP302-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs115nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5400pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ATPAK
包裝/箱ATPAK (2 leads+tab)

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 18V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

44.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.1nC @ 5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

57.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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