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AUIRF7303Q

AUIRF7303Q

僅供參考

型號 AUIRF7303Q
PNEDA編號 AUIRF7303Q
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7303Q資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7303Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
AUIRF7303Q, AUIRF7303Q數據表 (總頁數: 8, 大小: 578.15 KB)
PDFAUIRF7303Q數據表 封面
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AUIRF7303Q規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds515pF @ 25V
功率-最大2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

功率-最大

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 15.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1535pF @ 15V

功率-最大

1.98W, 4.16W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Advanced Linear Devices Inc.

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

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