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AUIRF7319QTR

AUIRF7319QTR

僅供參考

型號 AUIRF7319QTR
PNEDA編號 AUIRF7319QTR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7319QTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7319QTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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AUIRF7319QTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A, 4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 23A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1695pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

510mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

304nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

700mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 7.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

562pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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