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AUIRF7342QTR

AUIRF7342QTR

僅供參考

型號 AUIRF7342QTR
PNEDA編號 AUIRF7342QTR
描述 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7342QTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7342QTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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AUIRF7342QTR規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds690pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

467pF @ 6V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 25V

功率-最大

25W

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

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