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AUIRF7737L2TR

AUIRF7737L2TR

僅供參考

型號 AUIRF7737L2TR
PNEDA編號 AUIRF7737L2TR
描述 MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7737L2TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7737L2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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AUIRF7737L2TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Ta), 156A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9mOhm @ 94A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs134nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5469pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET L6
包裝/箱DirectFET™ Isometric L6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4476pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

221W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 8.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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