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AUIRFSL4310

AUIRFSL4310

僅供參考

型號 AUIRFSL4310
PNEDA編號 AUIRFSL4310
描述 MOSFET N-CH 100V 75A TO262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRFSL4310資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRFSL4310
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AUIRFSL4310, AUIRFSL4310數據表 (總頁數: 11, 大小: 712.79 KB)
PDFAUIRFSL4310數據表 封面
AUIRFSL4310數據表 頁面 2 AUIRFSL4310數據表 頁面 3 AUIRFSL4310數據表 頁面 4 AUIRFSL4310數據表 頁面 5 AUIRFSL4310數據表 頁面 6 AUIRFSL4310數據表 頁面 7 AUIRFSL4310數據表 頁面 8 AUIRFSL4310數據表 頁面 9 AUIRFSL4310數據表 頁面 10 AUIRFSL4310數據表 頁面 11

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AUIRFSL4310規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs250nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7670pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1988pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

820mW (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1515pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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