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AUIRFU4292

AUIRFU4292

僅供參考

型號 AUIRFU4292
PNEDA編號 AUIRFU4292
描述 MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRFU4292資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRFU4292
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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AUIRFU4292規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs345mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds705pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta), 15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

FASTIRFET™, HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2160pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2444pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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