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AUIRS20162STR

AUIRS20162STR

僅供參考

型號 AUIRS20162STR
PNEDA編號 AUIRS20162STR
描述 IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRS20162STR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRS20162STR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
AUIRS20162STR, AUIRS20162STR數據表 (總頁數: 20, 大小: 542.37 KB)
PDFAUIRS20162STR數據表 封面
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AUIRS20162STR規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q100
驅動配置High-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.4V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)250mA, 250mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)150V
上升/下降時間(典型值)200ns, 200ns
工作溫度-55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 24ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.6A, 1.6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

600ns, 600ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

60ns, 60ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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