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AUXAKF1405ZS-7P

AUXAKF1405ZS-7P

僅供參考

型號 AUXAKF1405ZS-7P
PNEDA編號 AUXAKF1405ZS-7P
描述 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUXAKF1405ZS-7P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUXAKF1405ZS-7P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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AUXAKF1405ZS-7P規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs230nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5360pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK (7-Lead)
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.7A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2082pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 136W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

94pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

500mW (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

267nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

560W (Tc)

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