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AZ23B12-G3-18

AZ23B12-G3-18

僅供參考

型號 AZ23B12-G3-18
PNEDA編號 AZ23B12-G3-18
描述 DIODE ZENER 12V 300MW SOT23
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AZ23B12-G3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AZ23B12-G3-18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-陣列
數據表
AZ23B12-G3-18, AZ23B12-G3-18數據表 (總頁數: 8, 大小: 131.52 KB)
PDFAZ23B9V1-G3-08數據表 封面
AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 2 AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 3 AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 4 AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 5 AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 6 AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 7 AZ23B9V1-G3-08數據表 頁面 8

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AZ23B12-G3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
配置1 Pair Common Anode
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±2%
功率-最大300mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 9V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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配置

1 Pair Common Anode

電壓-齊納(額定)(Vz)

3V

公差

±5%

功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

95 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

-

配置

3 Independent

電壓-齊納(額定)(Vz)

6.2V

公差

±5%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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配置

1 Pair Common Cathode

電壓-齊納(額定)(Vz)

18V

公差

±5%

功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

50 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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配置

1 Pair Common Anode

電壓-齊納(額定)(Vz)

2.7V

公差

±5%

功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

83 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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配置

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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