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BA159GPE-E3/53

BA159GPE-E3/53

僅供參考

型號 BA159GPE-E3/53
PNEDA編號 BA159GPE-E3-53
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BA159GPE-E3/53資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BA159GPE-E3/53
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BA159GPE-E3/53規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.2mA @ 45V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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10µA @ 200V

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電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1400V

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