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BAS 16 B5003

BAS 16 B5003

僅供參考

型號 BAS 16 B5003
PNEDA編號 BAS-16-B5003
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS 16 B5003資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS 16 B5003
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS 16 B5003規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1500V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

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