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BAS116E6327HTSA1

BAS116E6327HTSA1

僅供參考

型號 BAS116E6327HTSA1
PNEDA編號 BAS116E6327HTSA1
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 265,278
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS116E6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS116E6327HTSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS116E6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5nA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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700mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電容@ Vr,F

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