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BAS16

BAS16

僅供參考

型號 BAS16
PNEDA編號 BAS16
描述 DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 6 - 一月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS16, BAS16數據表 (總頁數: 8, 大小: 323.4 KB)
PDFBAS16-D87Z數據表 封面
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BAS16規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)85V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)6ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

280µA @ 80V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Comchip Technology

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

225mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 240V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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VS-VSKEU300/12PBF

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

HEXFRED®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

375A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.23V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

233ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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