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BAS16WH6327XTSA1

BAS16WH6327XTSA1

僅供參考

型號 BAS16WH6327XTSA1
PNEDA編號 BAS16WH6327XTSA1
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16WH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16WH6327XTSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS16WH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝PG-SOT323-3
工作溫度-結點150°C (Max)

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TS-1

工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

1A

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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