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BAS19

BAS19

僅供參考

型號 BAS19
PNEDA編號 BAS19
描述 DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS19資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS19
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS19, BAS19數據表 (總頁數: 8, 大小: 327.79 KB)
PDFBAS19數據表 封面
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BAS19規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 100V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 1200V

電容@ Vr,F

41pF @ 600V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220-2

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.6V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

31ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

150°C (Max)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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