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BAS21T-7-F

BAS21T-7-F

僅供參考

型號 BAS21T-7-F
PNEDA編號 BAS21T-7-F
描述 DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS21T-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS21T-7-F
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS21T-7-F, BAS21T-7-F數據表 (總頁數: 5, 大小: 281.06 KB)
PDFBAS21T-7-F數據表 封面
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BAS21T-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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80V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

3pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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