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BAS321,115

BAS321,115

僅供參考

型號 BAS321,115
PNEDA編號 BAS321-115
描述 DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 696,882
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS321資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS321,115
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS321, BAS321數據表 (總頁數: 10, 大小: 295.69 KB)
PDFBAS321/8X數據表 封面
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BAS321規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點150°C (Max)

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-215AB, SMC Gull Wing

供應商設備包裝

DO-215AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

IDW40G65C5BXKSA2

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制造商

Infineon Technologies

系列

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

20A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 20A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

210µA @ 650V

電容@ Vr,F

590pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

CMPD4150 TR

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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