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BAS34-TR

BAS34-TR

僅供參考

型號 BAS34-TR
PNEDA編號 BAS34-TR
描述 DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS34-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS34-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS34-TR, BAS34-TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 76.77 KB)
PDFBAS34-TR數據表 封面
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BAS34-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1nA @ 30V
電容@ Vr,F3pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB (DO-214AA)

工作溫度-結點

-65°C ~ 170°C

LL101B-7

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-80 MiniMELF

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Panasonic Electronic Components

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

100mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 75V

電容@ Vr,F

1.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

40nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

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