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BAS45A,113

BAS45A,113

僅供參考

型號 BAS45A,113
PNEDA編號 BAS45A-113
描述 DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS45A資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS45A,113
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS45A, BAS45A數據表 (總頁數: 9, 大小: 294.37 KB)
PDFBAS45A數據表 封面
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BAS45A規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)125V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1nA @ 125V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AG, DO-34, Axial
供應商設備包裝DO-34
工作溫度-結點175°C (Max)

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1.8V @ 62.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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Nexperia USA Inc.

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 30V

電容@ Vr,F

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