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BAS70-00-HE3-18

BAS70-00-HE3-18

僅供參考

型號 BAS70-00-HE3-18
PNEDA編號 BAS70-00-HE3-18
描述 DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS70-00-HE3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS70-00-HE3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS70-00-HE3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)70V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F2pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23
工作溫度-結點125°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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640mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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ON Semiconductor

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 45V

電容@ Vr,F

300pF @ 45V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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8-PowerTDFN, 5 Leads

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

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