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BAS82-GS08

BAS82-GS08

僅供參考

型號 BAS82-GS08
PNEDA編號 BAS82-GS08
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS82-GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS82-GS08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS82-GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)30mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 50V
電容@ Vr,F1.6pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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