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BAS83-GS08

BAS83-GS08

僅供參考

型號 BAS83-GS08
PNEDA編號 BAS83-GS08
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 64,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS83-GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS83-GS08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS83-GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)30mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 60V
電容@ Vr,F1.6pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

900ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

9.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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35V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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