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BAS85-L0 L1

BAS85-L0 L1

僅供參考

型號 BAS85-L0 L1
PNEDA編號 BAS85-L0-L1
描述 DIODE SCHOTTKY MINIMELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS85-L0 L1資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS85-L0 L1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS85-L0 L1規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 25V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

189pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

MPG06

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1.1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

540mV @ 1.1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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