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BAS85-M-08

BAS85-M-08

僅供參考

型號 BAS85-M-08
PNEDA編號 BAS85-M-08
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS85-M-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS85-M-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS85-M-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 25V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 35V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

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