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BAT81S-TR

BAT81S-TR

僅供參考

型號 BAT81S-TR
PNEDA編號 BAT81S-TR
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 30MA DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 296,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAT81S-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAT81S-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAT81S-TR, BAT81S-TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 76.37 KB)
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BAT81S-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)30mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 40V
電容@ Vr,F1.6pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

32ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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當前-反向泄漏@ Vr

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