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BAT83S-TAP

BAT83S-TAP

僅供參考

型號 BAT83S-TAP
PNEDA編號 BAT83S-TAP
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAT83S-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAT83S-TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAT83S-TAP, BAT83S-TAP數據表 (總頁數: 3, 大小: 76.37 KB)
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BAT83S-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)30mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 15mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 60V
電容@ Vr,F1.6pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點125°C (Max)

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial, Radial Bend

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 9000V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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