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BAV103 L0G

BAV103 L0G

僅供參考

型號 BAV103 L0G
PNEDA編號 BAV103-L0G
描述 DIODE GP 250V 200MA MINIMELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV103 L0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV103 L0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAV103 L0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 500mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

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