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BAV19WS-G3-18

BAV19WS-G3-18

僅供參考

型號 BAV19WS-G3-18
PNEDA編號 BAV19WS-G3-18
描述 DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV19WS-G3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV19WS-G3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAV19WS-G3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 100V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 62.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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電容@ Vr,F

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

100pF @ 1V, 1MHz

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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