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BAV21WS-HE3-08

BAV21WS-HE3-08

僅供參考

型號 BAV21WS-HE3-08
PNEDA編號 BAV21WS-HE3-08
描述 DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 217,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV21WS-HE3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV21WS-HE3-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAV21WS-HE3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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