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BC847RAZ

BC847RAZ

僅供參考

型號 BC847RAZ
PNEDA編號 BC847RAZ
描述 BC847RA/SOT1268/DFN1412-6
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC847RAZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC847RAZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BC847RAZ, BC847RAZ數據表 (總頁數: 11, 大小: 234.38 KB)
PDFBC847RAZ數據表 封面
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BC847RAZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大480mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1412-6

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10µA, 5V

功率-最大

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30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 10µA, 5V

功率-最大

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制造商

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晶體管類型

4 PNP (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

制造商

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 300mA, 30V

功率-最大

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200MHz

工作溫度

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