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BC847SH6730XTMA1

BC847SH6730XTMA1

僅供參考

型號 BC847SH6730XTMA1
PNEDA編號 BC847SH6730XTMA1
描述 TRANSISTOR NPN DUAL SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC847SH6730XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC847SH6730XTMA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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BC847SH6730XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

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