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BC848CDXV6T1G

BC848CDXV6T1G

僅供參考

型號 BC848CDXV6T1G
PNEDA編號 BC848CDXV6T1G
描述 TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC848CDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC848CDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BC848CDXV6T1G, BC848CDXV6T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 132.88 KB)
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BC848CDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V, 60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

HN2C01FU-GR(T5L,F)

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 100µA, 10V

功率-最大

-

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-

安裝類型

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz, 250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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