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BC848CWT1G

BC848CWT1G

僅供參考

型號 BC848CWT1G
PNEDA編號 BC848CWT1G
描述 TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 195,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC848CWT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC848CWT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC848CWT1G, BC848CWT1G數據表 (總頁數: 14, 大小: 176.35 KB)
PDFBC846AWT1G數據表 封面
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BC848CWT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大150mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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