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BC850BE6327HTSA1

BC850BE6327HTSA1

僅供參考

型號 BC850BE6327HTSA1
PNEDA編號 BC850BE6327HTSA1
描述 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC850BE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC850BE6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BC850BE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大330mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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