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BC857BQAZ

BC857BQAZ

僅供參考

型號 BC857BQAZ
PNEDA編號 BC857BQAZ
描述 TRANS PNP 45V 0.1A SOT1215
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC857BQAZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC857BQAZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC857BQAZ, BC857BQAZ數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,369.41 KB)
PDFBC857AQAZ數據表 封面
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BC857BQAZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce220 @ 2mA, 5V
功率-最大280mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1010D-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

300mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

15W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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