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BC857SE6327BTSA1

BC857SE6327BTSA1

僅供參考

型號 BC857SE6327BTSA1
PNEDA編號 BC857SE6327BTSA1
描述 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC857SE6327BTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC857SE6327BTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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BC857SE6327BTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

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當前-集電極截止(最大值)

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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