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BC858CDXV6T5

BC858CDXV6T5

僅供參考

型號 BC858CDXV6T5
PNEDA編號 BC858CDXV6T5
描述 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC858CDXV6T5資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC858CDXV6T5
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BC858CDXV6T5, BC858CDXV6T5數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.21 KB)
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BC858CDXV6T5規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500pA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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