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BC859CW,135

BC859CW,135

僅供參考

型號 BC859CW,135
PNEDA編號 BC859CW-135
描述 TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC859CW資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC859CW,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC859CW, BC859CW數據表 (總頁數: 8, 大小: 325.52 KB)
PDFBC860BW數據表 封面
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BC859CW規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大200mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2.75A, 11A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5.5 @ 11A, 5V

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

10MHz

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 25A, 2V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3A, 4V

功率-最大

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