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BCM856SH6778XTSA1

BCM856SH6778XTSA1

僅供參考

型號 BCM856SH6778XTSA1
PNEDA編號 BCM856SH6778XTSA1
描述 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCM856SH6778XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCM856SH6778XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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BCM856SH6778XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 2mA, 5V

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