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BCP5610QTC

BCP5610QTC

僅供參考

型號 BCP5610QTC
PNEDA編號 BCP5610QTC
描述 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCP5610QTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCP5610QTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCP5610QTC, BCP5610QTC數據表 (總頁數: 7, 大小: 440.18 KB)
PDFBCP5610QTC數據表 封面
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BCP5610QTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極截止(最大值)

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