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BCR 162 B6327

BCR 162 B6327

僅供參考

型號 BCR 162 B6327
PNEDA編號 BCR-162-B6327
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 162 B6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 162 B6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
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BCR 162 B6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

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80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

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500mA

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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功率-最大

300mW

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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