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BCR135SH6327XTSA1

BCR135SH6327XTSA1

僅供參考

型號 BCR135SH6327XTSA1
PNEDA編號 BCR135SH6327XTSA1
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
制造商 Infineon Technologies
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庫存 360,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 18 - 二月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR135SH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR135SH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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BCR135SH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡150MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

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功率-最大

1.5W

安裝類型

Surface Mount

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

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功率-最大

300mW

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

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電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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Surface Mount

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