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BCR185SH6327XTSA1

BCR185SH6327XTSA1

僅供參考

型號 BCR185SH6327XTSA1
PNEDA編號 BCR185SH6327XTSA1
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 100,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR185SH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR185SH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR185SH6327XTSA1, BCR185SH6327XTSA1數據表 (總頁數: 11, 大小: 867.65 KB)
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BCR185SH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡200MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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