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BCW33LT3G

BCW33LT3G

僅供參考

型號 BCW33LT3G
PNEDA編號 BCW33LT3G
描述 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 11 - 三月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW33LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW33LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCW33LT3G, BCW33LT3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 96.56 KB)
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BCW33LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大300mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

220V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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