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BCW33T116

BCW33T116

僅供參考

型號 BCW33T116
PNEDA編號 BCW33T116
描述 TRANS NPN 32V 0.1A SST3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW33T116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW33T116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BCW33T116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 4mA, 2V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2.5A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

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