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BCW61BMTF

BCW61BMTF

僅供參考

型號 BCW61BMTF
PNEDA編號 BCW61BMTF
描述 TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 87,486
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW61BMTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW61BMTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCW61BMTF, BCW61BMTF數據表 (總頁數: 6, 大小: 163.69 KB)
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BCW61BMTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)20nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 2mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2.2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 1V

功率-最大

5W

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100MHz

工作溫度

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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